人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
1108-1112
,共5页
王明旭%岳光辉%范晓彦%闫德%闫鹏勋%杨强
王明旭%嶽光輝%範曉彥%閆德%閆鵬勛%楊彊
왕명욱%악광휘%범효언%염덕%염붕훈%양강
氮化铜薄膜%XRD%SEM%AFM%霍尔效应
氮化銅薄膜%XRD%SEM%AFM%霍爾效應
담화동박막%XRD%SEM%AFM%곽이효응
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.
採用反應射頻磁控濺射的方法在純氮氣氣氛下、氮氣流量為12sccm、襯底溫度為100℃的條件下,在玻璃基底上成功製備瞭氮化銅(Cu3N)薄膜.XRD顯示薄膜擇優[100]晶嚮生長.用掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)觀察瞭樣品的錶麵形貌,髮現樣品錶麵平整、結構緊密.用四探針法檢測瞭薄膜的霍爾特性,髮現隨溫度的降低薄膜的霍爾繫數、霍爾電阻率均增加.霍爾遷移率在高溫範圍也呈降低的趨勢,但是變化的範圍比較小,在低溫範圍又有所增加.隨溫度的降低薄膜的載流子濃度降低.我們還通過變溫的霍爾繫數估算瞭氮化銅薄膜的禁帶寬度約為1.35eV.
채용반응사빈자공천사적방법재순담기기분하、담기류량위12sccm、츤저온도위100℃적조건하,재파리기저상성공제비료담화동(Cu3N)박막.XRD현시박막택우[100]정향생장.용소묘전자현미경(SEM)화원자력현미경(AFM)관찰료양품적표면형모,발현양품표면평정、결구긴밀.용사탐침법검측료박막적곽이특성,발현수온도적강저박막적곽이계수、곽이전조솔균증가.곽이천이솔재고온범위야정강저적추세,단시변화적범위비교소,재저온범위우유소증가.수온도적강저박막적재류자농도강저.아문환통과변온적곽이계수고산료담화동박막적금대관도약위1.35eV.
