稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2008年
3期
561-564
,共4页
温广武%李峰%韩兆祥%白宏伟
溫廣武%李峰%韓兆祥%白宏偉
온엄무%리봉%한조상%백굉위
SiC%纳米线%气压烧结%SiBONC陶瓷
SiC%納米線%氣壓燒結%SiBONC陶瓷
SiC%납미선%기압소결%SiBONC도자
通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体.在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时,发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线.通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成,并初步推断了其生长机制.结果表明:该纳米线为结晶良好的β-SiC,其主要组成元素为Si、C及少量的O;其直径在20～200 nm之间,其平均长度在1 mm左右.
通過有機聚閤物先驅體法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)為原料,通過有機-無機裂解轉化製備瞭SiBONC陶瓷的納米粉體.在對SiBONC陶瓷粉末坯體進行高溫氣壓處理時,髮現在坯體錶麵生長齣大量β-SiC納米線.通過XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析測試手段分析瞭該納米線的微觀結構和物相組成,併初步推斷瞭其生長機製.結果錶明:該納米線為結晶良好的β-SiC,其主要組成元素為Si、C及少量的O;其直徑在20～200 nm之間,其平均長度在1 mm左右.
통과유궤취합물선구체법사용사록화규(SiCl4)、분갑철(PhCHO)、완기알(RNH2)、삼록화붕(BCl3)위원료,통과유궤-무궤렬해전화제비료SiBONC도자적납미분체.재대SiBONC도자분말배체진행고온기압처리시,발현재배체표면생장출대량β-SiC납미선.통과XRD、FT-IR、SEM、TEM등분석측시수단분석료해납미선적미관결구화물상조성,병초보추단료기생장궤제.결과표명:해납미선위결정량호적β-SiC,기주요조성원소위Si、C급소량적O;기직경재20～200 nm지간,기평균장도재1 mm좌우.
