光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2008年
2期
287-291
,共5页
光子晶体%AANR%等频线分析%负折射
光子晶體%AANR%等頻線分析%負摺射
광자정체%AANR%등빈선분석%부절사
利用二维光子晶体的等频线分析原理和平面波展开方法,得到了使二维光子晶体产生全入射角负折射(All-Angle Negative Refraction,AANR)现象时,入射电磁波的频率取值范围.同时,分析了 AANR 频率范围随着结构参量(晶格类型、介质棒半径与晶格周期的比值)和电磁参量(介质柱介电常量、本底介电常量、入射电磁波偏振方向)变化的行为.结果表明:固定组成光子晶体的一种介质的介电常量,另一介质的介电常量只有达到一定阈值,才有可能使光子晶体出现 AANR现象.在给定两种介质介电常量的条件下,存在使AANR频率范围最大化的结构参量和电磁参量.
利用二維光子晶體的等頻線分析原理和平麵波展開方法,得到瞭使二維光子晶體產生全入射角負摺射(All-Angle Negative Refraction,AANR)現象時,入射電磁波的頻率取值範圍.同時,分析瞭 AANR 頻率範圍隨著結構參量(晶格類型、介質棒半徑與晶格週期的比值)和電磁參量(介質柱介電常量、本底介電常量、入射電磁波偏振方嚮)變化的行為.結果錶明:固定組成光子晶體的一種介質的介電常量,另一介質的介電常量隻有達到一定閾值,纔有可能使光子晶體齣現 AANR現象.在給定兩種介質介電常量的條件下,存在使AANR頻率範圍最大化的結構參量和電磁參量.
이용이유광자정체적등빈선분석원리화평면파전개방법,득도료사이유광자정체산생전입사각부절사(All-Angle Negative Refraction,AANR)현상시,입사전자파적빈솔취치범위.동시,분석료 AANR 빈솔범위수착결구삼량(정격류형、개질봉반경여정격주기적비치)화전자삼량(개질주개전상량、본저개전상량、입사전자파편진방향)변화적행위.결과표명:고정조성광자정체적일충개질적개전상량,령일개질적개전상량지유체도일정역치,재유가능사광자정체출현 AANR현상.재급정량충개질개전상량적조건하,존재사AANR빈솔범위최대화적결구삼량화전자삼량.
