纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2008年
2期
103-107
,共5页
张建新%刘玉岭%张楷亮%檀柏梅%牛新环%王娟
張建新%劉玉嶺%張楷亮%檀柏梅%牛新環%王娟
장건신%류옥령%장해량%단백매%우신배%왕연
硅溶胶%大粒径%生长机理%甚大规模集成电路%化学机械抛光
硅溶膠%大粒徑%生長機理%甚大規模集成電路%化學機械拋光
규용효%대립경%생장궤리%심대규모집성전로%화학궤계포광
为满足甚大规模集成电路(ULSI)互连结构高质量、高效率化学机械抛光(CMP)的要求,以LaMer模型为理论指导,对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析,并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响;优化加料速率为3.6 mL/min,以此控制体系中硅酸浓度的变化趋势,避免产生两种类型的新晶核,实现了单纯的粒径增长.以胶粒平均粒径28nm、分散度1.13的母液制备出粒径57nm、分散度1.07的硅溶胶.通过工艺调整并按照分级生长模式,进一步制得符合高质量、高效率CMP专用的大粒径(平均粒径为112nm)、低分散度(接近于1.00)硅溶胶研磨料.
為滿足甚大規模集成電路(ULSI)互連結構高質量、高效率化學機械拋光(CMP)的要求,以LaMer模型為理論指導,對恆液麵聚閤生長法製備大粒徑、低分散度硅溶膠研磨料的粒徑增長階段進行瞭機理分析,併討論瞭加料速率對平均粒徑及分散度的影響;優化加料速率為3.6 mL/min,以此控製體繫中硅痠濃度的變化趨勢,避免產生兩種類型的新晶覈,實現瞭單純的粒徑增長.以膠粒平均粒徑28nm、分散度1.13的母液製備齣粒徑57nm、分散度1.07的硅溶膠.通過工藝調整併按照分級生長模式,進一步製得符閤高質量、高效率CMP專用的大粒徑(平均粒徑為112nm)、低分散度(接近于1.00)硅溶膠研磨料.
위만족심대규모집성전로(ULSI)호련결구고질량、고효솔화학궤계포광(CMP)적요구,이LaMer모형위이론지도,대항액면취합생장법제비대립경、저분산도규용효연마료적립경증장계단진행료궤리분석,병토론료가료속솔대평균립경급분산도적영향;우화가료속솔위3.6 mL/min,이차공제체계중규산농도적변화추세,피면산생량충류형적신정핵,실현료단순적립경증장.이효립평균립경28nm、분산도1.13적모액제비출립경57nm、분산도1.07적규용효.통과공예조정병안조분급생장모식,진일보제득부합고질량、고효솔CMP전용적대립경(평균립경위112nm)、저분산도(접근우1.00)규용효연마료.
