固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
2期
204-207,239
,共5页
锁相环%宽带%正交压控振荡器%开关电容阵列%子频带
鎖相環%寬帶%正交壓控振盪器%開關電容陣列%子頻帶
쇄상배%관대%정교압공진탕기%개관전용진렬%자빈대
设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器.通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间.该芯片采用0.18/μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04～3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mw.
設計瞭一箇應用于3.5 GHz頻段鎖相環的低電壓寬帶正交壓控振盪器.通過對開關電容陣列進行功能劃分和優化設計,從而精確地將鎖相環的頻道點逐一映射到瞭振盪器的子頻帶中,進而消除瞭頻道切換時子頻帶的選擇過程時間.該芯片採用0.18/μm CMOS工藝實現,測試結果錶明:振盪器的頻率覆蓋範圍從3.04～3.58 GHz,併且所有的子頻帶均一一準確地覆蓋瞭目標頻道點;調諧增益從86 MHz/V變化至132 MHz/V,其平均值僅比設計值高6%;最高子頻帶的中心頻率為3.538 GHz,其偏離載波1 MHz處的相位譟聲為-121.6 dBc/Hz;在1.2 V電源電壓下,振盪器覈心的功耗約為14 mw.
설계료일개응용우3.5 GHz빈단쇄상배적저전압관대정교압공진탕기.통과대개관전용진렬진행공능화분화우화설계,종이정학지장쇄상배적빈도점축일영사도료진탕기적자빈대중,진이소제료빈도절환시자빈대적선택과정시간.해심편채용0.18/μm CMOS공예실현,측시결과표명:진탕기적빈솔복개범위종3.04～3.58 GHz,병차소유적자빈대균일일준학지복개료목표빈도점;조해증익종86 MHz/V변화지132 MHz/V,기평균치부비설계치고6%;최고자빈대적중심빈솔위3.538 GHz,기편리재파1 MHz처적상위조성위-121.6 dBc/Hz;재1.2 V전원전압하,진탕기핵심적공모약위14 mw.
