半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
12期
2127-2133
,共7页
赵有文%董志远%孙文荣%段满龙%杨子祥%吕旭如
趙有文%董誌遠%孫文榮%段滿龍%楊子祥%呂旭如
조유문%동지원%손문영%단만룡%양자상%려욱여
磷化铟%缺陷%衬底%抛光
燐化銦%缺陷%襯底%拋光
린화인%결함%츤저%포광
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.
分析研究瞭一些缺陷對InP單晶襯底的影響,包括糰狀結構位錯的產生及其對晶格完整性的影響,坑狀微缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質的清洗腐蝕等.對這些缺陷的形成原因和抑製途徑進行瞭分析.在此基礎上穫得瞭"開盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、錶麵無損傷的InP單晶襯底拋光片.
분석연구료일사결함대InP단정츤저적영향,포괄단상결구위착적산생급기대정격완정성적영향,갱상미결함、정편포광손상화잔류잡질적청세부식등.대저사결함적형성원인화억제도경진행료분석.재차기출상획득료"개합즉용(EPI-READY)"、구유량호정격완정성、표면무손상적InP단정츤저포광편.
