电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
5期
36-38
,共3页
AlN%MOCVD%压电薄膜
AlN%MOCVD%壓電薄膜
AlN%MOCVD%압전박막
采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜.用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构.研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AlN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化.结果表明:在优化条件下制备的AlN薄膜高度c轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.10°,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2.4.
採用MOCVD法在藍寶石(0001)單晶襯底上生長AlN壓電薄膜.用XRD和原子力顯微(AFM)技術錶徵薄膜的微觀結構.研究瞭襯底溫度、TMA和NH3流量、反應室氣壓對AlN薄膜織構特性的影響,併對薄膜生長的工藝參數進行瞭相應優化.結果錶明:在優化條件下製備的AlN薄膜高度c軸擇優取嚮,(0002)峰搖襬麯線半高寬僅為0.10°,且薄膜錶麵平整,橢圓偏振法測齣其摺射率為2.0～2.4.
채용MOCVD법재람보석(0001)단정츤저상생장AlN압전박막.용XRD화원자력현미(AFM)기술표정박막적미관결구.연구료츤저온도、TMA화NH3류량、반응실기압대AlN박막직구특성적영향,병대박막생장적공예삼수진행료상응우화.결과표명:재우화조건하제비적AlN박막고도c축택우취향,(0002)봉요파곡선반고관부위0.10°,차박막표면평정,타원편진법측출기절사솔위2.0～2.4.
