济南大学学报（自然科学版）
濟南大學學報（自然科學版）
제남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF JINAN UNIVERSITY(SCIENE AND TECHNOLOGY)
2010年
2期
202-204
,共3页
秦希峰%季燕菊%王凤翔%付刚%赵优美%梁毅
秦希峰%季燕菊%王鳳翔%付剛%趙優美%樑毅
진희봉%계연국%왕봉상%부강%조우미%량의
离子注入%6H-SiC%卢瑟福背散射技术%射程分布
離子註入%6H-SiC%盧瑟福揹散射技術%射程分佈
리자주입%6H-SiC%로슬복배산사기술%사정분포
鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400keV 能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.用SRIM2006模拟软件对能量为400keV的Er+ 离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据.
鑒于利用離子註入技術摻雜製作光電集成器件時,離子註入半導體材料的射程分佈、射程離散和橫嚮離散對器件性能的影響,應用盧瑟福揹散射技術研究將劑量為5×1015cm-2的400keV 能量的Er+離子註入6H-SiC晶體的平均投影射程、射程離散和深度分佈.用SRIM2006模擬軟件對能量為400keV的Er+ 離子註入SiC晶體的深度分佈進行瞭理論模擬,把理論模擬值跟測齣的實驗值進行比較,髮現兩者符閤較好,從而為今後利用Er+離子註入SiC晶體摻雜製作光電集成器件提供參攷依據.
감우이용리자주입기술참잡제작광전집성기건시,리자주입반도체재료적사정분포、사정리산화횡향리산대기건성능적영향,응용로슬복배산사기술연구장제량위5×1015cm-2적400keV 능량적Er+리자주입6H-SiC정체적평균투영사정、사정리산화심도분포.용SRIM2006모의연건대능량위400keV적Er+ 리자주입SiC정체적심도분포진행료이론모의,파이론모의치근측출적실험치진행비교,발현량자부합교호,종이위금후이용Er+리자주입SiC정체참잡제작광전집성기건제공삼고의거.
