微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
5期
277-281
,共5页
孙海波%石锋%曹玉萍%郭永福%刘文军%薛成山
孫海波%石鋒%曹玉萍%郭永福%劉文軍%薛成山
손해파%석봉%조옥평%곽영복%류문군%설성산
氧化锌%AU点阵模板%磁控溅射%单晶堆垒%光学特性
氧化鋅%AU點陣模闆%磁控濺射%單晶堆壘%光學特性
양화자%AU점진모판%자공천사%단정퇴루%광학특성
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在AU点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒.研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析.结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100 nm.室温光致发光PL谱表明在376 nm出现一个较强近紫外发射,在488 nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性.
採用磁控濺射技術在Si(111)襯底上濺射Au薄膜,900℃退火生成Au點陣模闆,在AU點陣模闆上濺射ZnO薄膜,O2氣氛下1 000℃退火製備瞭ZnO堆壘單晶棒.研究瞭不同直徑Au點陣模闆對ZnO單晶棒結構性能的影響.採用掃描電鏡(SEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)對樣品結構形貌進行瞭分析.結果錶明,生成有序排列的ZnO棒均由諸多六方纖鋅礦單晶堆壘而成,較小Au點陣生成單晶棒的直徑約為100 nm.室溫光緻髮光PL譜錶明在376 nm齣現一箇較彊近紫外髮射,在488 nm附近齣現一箇較寬的深能級綠光髮射,說明所製備樣品具有良好的髮光特性.
채용자공천사기술재Si(111)츤저상천사Au박막,900℃퇴화생성Au점진모판,재AU점진모판상천사ZnO박막,O2기분하1 000℃퇴화제비료ZnO퇴루단정봉.연구료불동직경Au점진모판대ZnO단정봉결구성능적영향.채용소묘전경(SEM)、고분변투사전자현미경(HRTEM)、X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)대양품결구형모진행료분석.결과표명,생성유서배렬적ZnO봉균유제다륙방섬자광단정퇴루이성,교소Au점진생성단정봉적직경약위100 nm.실온광치발광PL보표명재376 nm출현일개교강근자외발사,재488 nm부근출현일개교관적심능급록광발사,설명소제비양품구유량호적발광특성.
