固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
6期
545-548,600
,共5页
超结%绝缘栅双极晶体管%电荷非平衡%击穿电压%导通压降%关断损耗
超結%絕緣柵雙極晶體管%電荷非平衡%擊穿電壓%導通壓降%關斷損耗
초결%절연책쌍겁정체관%전하비평형%격천전압%도통압강%관단손모
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析.通过TMAMEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT.并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变,而这一特性是超结IGBT所独有的.也正是这一特殊的导通机理使得超结IGBT的Eoff-Von关系得到了突破性的改进.此外,结合超结技术的基本理论详细分析了电荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响,给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围.
首次指齣瞭超結IGBT這一新型功率半導體器件獨特的導通機理併對其作瞭詳細分析.通過TMAMEDICI倣真驗證,超結IGBT耐壓能力和正嚮導通能力都明顯優于普通IGBT.併且髮現,不同N柱、P柱摻雜濃度下器件的導通模式會在單極輸運和雙極輸運之間相互改變,而這一特性是超結IGBT所獨有的.也正是這一特殊的導通機理使得超結IGBT的Eoff-Von關繫得到瞭突破性的改進.此外,結閤超結技術的基本理論詳細分析瞭電荷非平衡效應對超結IGBT器件耐壓能力的影響,給齣瞭耐壓區N柱、P柱摻雜濃度的閤理取值範圍.
수차지출료초결IGBT저일신형공솔반도체기건독특적도통궤리병대기작료상세분석.통과TMAMEDICI방진험증,초결IGBT내압능력화정향도통능력도명현우우보통IGBT.병차발현,불동N주、P주참잡농도하기건적도통모식회재단겁수운화쌍겁수운지간상호개변,이저일특성시초결IGBT소독유적.야정시저일특수적도통궤리사득초결IGBT적Eoff-Von관계득도료돌파성적개진.차외,결합초결기술적기본이론상세분석료전하비평형효응대초결IGBT기건내압능력적영향,급출료내압구N주、P주참잡농도적합리취치범위.
