微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
3期
411-414
,共4页
InAlN/AlN/GaN%HEMT%TCAD
InAlN/AlN/GaN%HEMT%TCAD
InAlN/AlN/GaN%HEMT%TCAD
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真.通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比.对栅长为1μm的器件进行仿真,结果表明,器件的最大跨导为450 mS/mm,最大电流密度为2 A/mm,电流增益截止频率fΥ=15 GHz,最高振荡频率fmax=35 GHz.
研究瞭一種新型GaN基HEMT結構,即InAlN/AlN/GaN異質結層結構,併對其直流特性以及頻率特性進行瞭倣真.通過理論分析,結閤TCAD軟件,與常規AlGaN/AlN/GaNHEMT進行對比.對柵長為1μm的器件進行倣真,結果錶明,器件的最大跨導為450 mS/mm,最大電流密度為2 A/mm,電流增益截止頻率fΥ=15 GHz,最高振盪頻率fmax=35 GHz.
연구료일충신형GaN기HEMT결구,즉InAlN/AlN/GaN이질결층결구,병대기직류특성이급빈솔특성진행료방진.통과이론분석,결합TCAD연건,여상규AlGaN/AlN/GaNHEMT진행대비.대책장위1μm적기건진행방진,결과표명,기건적최대과도위450 mS/mm,최대전류밀도위2 A/mm,전류증익절지빈솔fΥ=15 GHz,최고진탕빈솔fmax=35 GHz.
