中国粉体技术
中國粉體技術
중국분체기술
CHINA POWDER SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
6期
12-16
,共5页
李金富%常永威%李康%王正军%段关文%王拥军
李金富%常永威%李康%王正軍%段關文%王擁軍
리금부%상영위%리강%왕정군%단관문%왕옹군
自蔓燃高温合成%氮化硅粉体%反应机理
自蔓燃高溫閤成%氮化硅粉體%反應機理
자만연고온합성%담화규분체%반응궤리
研究了自蔓燃高温合成方法制备氯化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氯化硅过程中硅粉粒度、氯气、温度、稀释剂与孔隙率等方面对反应产物的影响,并对反应机理进行了分析.由于有添加剂氯化铵的存在,反应中不是单纯的硅粉氮化反应.只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制、中温机制、高温机制;氯气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行金属硅粉的粒度细,合成的Si3N4中α相含量高.
研究瞭自蔓燃高溫閤成方法製備氯化硅粉體,藉助于XRD、SEM等檢測方法,分析瞭自蔓燃高溫閤成氯化硅過程中硅粉粒度、氯氣、溫度、稀釋劑與孔隙率等方麵對反應產物的影響,併對反應機理進行瞭分析.由于有添加劑氯化銨的存在,反應中不是單純的硅粉氮化反應.隻要控製反應中的工藝參數,就可以採用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉體;攷慮到燃燒溫度,在氮化硅粉體的閤成過程中,涉及到3箇反應機製:低溫機製、中溫機製、高溫機製;氯氣壓力下硅粉的自蔓燃閤成反應,必鬚要引入Si3N4稀釋劑,來控製反應溫度和反應速度,穫得不同相含量的粉體.壓坯氣孔率控製在30%～70%,否則反應不能進行金屬硅粉的粒度細,閤成的Si3N4中α相含量高.
연구료자만연고온합성방법제비록화규분체,차조우XRD、SEM등검측방법,분석료자만연고온합성록화규과정중규분립도、록기、온도、희석제여공극솔등방면대반응산물적영향,병대반응궤리진행료분석.유우유첨가제록화안적존재,반응중불시단순적규분담화반응.지요공제반응중적공예삼수,취가이채용자만연득도불동상함량적Si3N4분체;고필도연소온도,재담화규분체적합성과정중,섭급도3개반응궤제:저온궤제、중온궤제、고온궤제;록기압력하규분적자만연합성반응,필수요인입Si3N4희석제,래공제반응온도화반응속도,획득불동상함량적분체.압배기공솔공제재30%～70%,부칙반응불능진행금속규분적립도세,합성적Si3N4중α상함량고.
