半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
197-201
,共5页
谭晶晶%周觅%陈韬%谢琦%茹国平%屈新萍
譚晶晶%週覓%陳韜%謝琦%茹國平%屈新萍
담정정%주멱%진도%사기%여국평%굴신평
钌%氮化钽%铜互连%扩散阻挡层
釕%氮化鐽%銅互連%擴散阻擋層
조%담화단%동호련%확산조당층
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.
研究瞭釕(Ru)/氮化鐽(TaN)雙層結構對銅的擴散阻擋特性,在Si(100)襯底上用離子束濺射的方法沉積瞭超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高純氮氣保護下對樣品進行快速熱退火,用X射線衍射、四探針以及電流-時間測試等錶徵手段研究瞭Ru/TaN雙層結構薄膜的熱穩定性和對銅的擴散阻擋特性.同時還對Ru/TaN結構上的銅進行瞭直接電鍍.實驗結果錶明Ru/TaN雙層結構具有優良的熱穩定性和擴散阻擋特性,在無籽晶銅互連工藝中有較好的應用前景.
연구료조(Ru)/담화단(TaN)쌍층결구대동적확산조당특성,재Si(100)츤저상용리자속천사적방법침적료초박Ru/TaN이급Cu/Ru/TaN박막,재고순담기보호하대양품진행쾌속열퇴화,용X사선연사、사탐침이급전류-시간측시등표정수단연구료Ru/TaN쌍층결구박막적열은정성화대동적확산조당특성.동시환대Ru/TaN결구상적동진행료직접전도.실험결과표명Ru/TaN쌍층결구구유우량적열은정성화확산조당특성,재무자정동호련공예중유교호적응용전경.
