微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2008年
3期
11-13
,共3页
VDMOS%工艺流程%阈值电压
VDMOS%工藝流程%閾值電壓
VDMOS%공예류정%역치전압
根据P型VDMOS的特点,对实际的P型VDMOS 工艺流程的特殊之处与常规MOS工艺和N型VDMOS 工艺进行了对比,提出了较为合理的工艺流程.并利用工艺模拟软件对工艺流程进行了模拟,通过将已知工艺参数与工艺模拟软件结合起来使用,将模拟结果直接导入器件模拟软件,对击穿电压及阚值电压,进行了模拟计算,指出了P型VDMOS 工艺流程的特点.
根據P型VDMOS的特點,對實際的P型VDMOS 工藝流程的特殊之處與常規MOS工藝和N型VDMOS 工藝進行瞭對比,提齣瞭較為閤理的工藝流程.併利用工藝模擬軟件對工藝流程進行瞭模擬,通過將已知工藝參數與工藝模擬軟件結閤起來使用,將模擬結果直接導入器件模擬軟件,對擊穿電壓及闞值電壓,進行瞭模擬計算,指齣瞭P型VDMOS 工藝流程的特點.
근거P형VDMOS적특점,대실제적P형VDMOS 공예류정적특수지처여상규MOS공예화N형VDMOS 공예진행료대비,제출료교위합리적공예류정.병이용공예모의연건대공예류정진행료모의,통과장이지공예삼수여공예모의연건결합기래사용,장모의결과직접도입기건모의연건,대격천전압급감치전압,진행료모의계산,지출료P형VDMOS 공예류정적특점.
