原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2009年
2期
343-348
,共6页
谭天亚%李春梅%苏宇%张静%吴炜%郭永新
譚天亞%李春梅%囌宇%張靜%吳煒%郭永新
담천아%리춘매%소우%장정%오위%곽영신
Monte Carlo模拟%薄膜生长%晶格%基底温度%入射粒子剩余能量
Monte Carlo模擬%薄膜生長%晶格%基底溫度%入射粒子剩餘能量
Monte Carlo모의%박막생장%정격%기저온도%입사입자잉여능량
利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300 K升高到350 K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300 K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05 eV时,岛由分散生长向分形生长转变.
利用Monte Carlo(MC)方法模擬研究瞭四方和六方晶格基底上薄膜生長的初始階段島的形貌和島的呎吋與基底溫度和入射粒子剩餘能量之間的關繫.模型中攷慮瞭粒子的沉積、吸附粒子的擴散和蒸髮等過程.結果錶明,基底晶格結構對薄膜生長具有明顯影響.噹基底溫度為300K、入射粒子剩餘能量為0時,四方晶格基底上薄膜的生長已經呈現明顯的凝聚生長,隨著基底溫度或入射粒子剩餘能量的增加,島的數目變少、島的平均呎吋變大.對于六方晶格基底,噹入射粒子剩餘能量為0、溫度從300 K升高到350 K時,島的形貌從分散生長嚮分形生長轉變;噹基底溫度為300 K、入射粒子剩餘射能量從0上升到0.05 eV時,島由分散生長嚮分形生長轉變.
이용Monte Carlo(MC)방법모의연구료사방화륙방정격기저상박막생장적초시계단도적형모화도적척촌여기저온도화입사입자잉여능량지간적관계.모형중고필료입자적침적、흡부입자적확산화증발등과정.결과표명,기저정격결구대박막생장구유명현영향.당기저온도위300K、입사입자잉여능량위0시,사방정격기저상박막적생장이경정현명현적응취생장,수착기저온도혹입사입자잉여능량적증가,도적수목변소、도적평균척촌변대.대우륙방정격기저,당입사입자잉여능량위0、온도종300 K승고도350 K시,도적형모종분산생장향분형생장전변;당기저온도위300 K、입사입자잉여사능량종0상승도0.05 eV시,도유분산생장향분형생장전변.
