四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2011年
1期
121-125
,共5页
杨翰飞%杨治美%廖熙%龚敏%孙小松
楊翰飛%楊治美%廖熙%龔敏%孫小鬆
양한비%양치미%료희%공민%손소송
立方碳化硅%选择生长%掩蔽层%衍射峰位置%残余应力
立方碳化硅%選擇生長%掩蔽層%衍射峰位置%殘餘應力
립방탄화규%선택생장%엄폐층%연사봉위치%잔여응력
采用一种新的LPCVD方法在Si村底上通过SiO2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.
採用一種新的LPCVD方法在Si村底上通過SiO2作為掩蔽層,進行3C-SiC的反嚮外延的選擇性生長.TEM,AFM和XRD結果顯示3C-SiC沿(111)麵成功實現瞭較高質量的外延選擇生長,其界麵清晰,掩蔽良好.生長齣的3C-SiC薄膜為織構晶體,單晶性良好.殘餘應力測試錶明3C-SiC薄膜晶格髮生壓應變,選擇性生長區域的殘餘應力顯著降低.據此結果建立瞭殘餘應力的形成機製.
채용일충신적LPCVD방법재Si촌저상통과SiO2작위엄폐층,진행3C-SiC적반향외연적선택성생장.TEM,AFM화XRD결과현시3C-SiC연(111)면성공실현료교고질량적외연선택생장,기계면청석,엄폐량호.생장출적3C-SiC박막위직구정체,단정성량호.잔여응력측시표명3C-SiC박막정격발생압응변,선택성생장구역적잔여응력현저강저.거차결과건립료잔여응력적형성궤제.
