CAJ | 학술논문

相变存储器(Phase-Change Memory)是计算机体系结构中的下一代内存技术,具有高密度、低功耗、非易失等优点,具备替代现有DRAM内存的实力,但非易失的自然属性会带来一系列潜在计算机数据隐私方面的隐患.比如掉电后内存中依然保留了很多明文形式的敏感数据,同时相变存储器的存储单元还有写次数有限的问题.文中提出一种基于加密技术和减少相变存储器写次数的方法.它能保护基于相变存储器的内存中的数据,即使在系统断电的状态下内存中的敏感数据也不能被攻击者获取,同时极大延长了系统内存的使用寿命,加强了非易失内存的机密性和可靠性.实验结果表明,增加处理单元后,整体系统性能只下降3.6％,同时在加密操作的条件下相变内存的寿命平均延长2.6倍,所提设计方案可以很好地达到预期目的.
상변존저기(Phase-Change Memory)시계산궤체계결구중적하일대내존기술,구유고밀도、저공모、비역실등우점,구비체대현유DRAM내존적실력,단비역실적자연속성회대래일계렬잠재계산궤수거은사방면적은환.비여도전후내존중의연보류료흔다명문형식적민감수거,동시상변존저기적존저단원환유사차수유한적문제.문중제출일충기우가밀기술화감소상변존저기사차수적방법.타능보호기우상변존저기적내존중적수거,즉사재계통단전적상태하내존중적민감수거야불능피공격자획취,동시겁대연장료계통내존적사용수명,가강료비역실내존적궤밀성화가고성.실험결과표명,증가처리단원후,정체계통성능지하강3.6％,동시재가밀조작적조건하상변내존적수명평균연장2.6배,소제설계방안가이흔호지체도예기목적.