Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附
Ge재Si(111)7×7표면적선택성흡부
THE PREFERENTIAL ADSORPTION OF Ge ON Si(111)7 x 7 SURFACE
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2001年 11期 2132-2136 ,共5页

    闫隆%张永平%彭毅萍%庞世谨%高鸿钧

    염륭%장영평%팽의평%방세근%고홍균

    扫描隧道显微镜,Si(111)7×7表面,Ge团簇 掃描隧道顯微鏡,Si(111)7×7錶麵,Ge糰簇
    소묘수도현미경,Si(111)7×7표면,Ge단족
    利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Sj(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小.
    이용초고진공소묘수도현미경연구료실온조건하Ge재Sj(111)7×7표면상초기흡부과정.재Ge소형성단족중존재일개림계핵.저사Ge단족적흡부중심총시재삼개증원자소위성적구역중.타문적전자결구구유유사반도체적성질,즉기국역태밀도재원리비미면적능급처흔대,이재비미면부근적능급처비상소.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문