155 Mbit/s和622 Mbit/s 速率0.6 μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片
155 Mbit/s화622 Mbit/s 속솔0.6 μm CMOS공예광섬용호망전용집성전로적부분핵심심편
155Mbit/s and 622Mbit/s Data Speed ICs for Optical Access Networks in 0.6μm CMOS Technology
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    2003年 10期 1-4 ,共4页

    梁帮立%王志功%田俊%章丽%熊明珍

    량방립%왕지공%전준%장려%웅명진

    光纤用户网%SDH%CMOS工艺%专用集成电路 光纖用戶網%SDH%CMOS工藝%專用集成電路
    광섬용호망%SDH%CMOS공예%전용집성전로
    采用国内的CSMC-HJ 0.6 μm CMOS工艺实现了155 Mb/s和622 Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片.芯片测试结果表明,激光二极管驱动电路(LDD),前置放大器(Pre-Amp)和限幅放大器(LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平.
    채용국내적CSMC-HJ 0.6 μm CMOS공예실현료155 Mb/s화622 Mb/s속솔적광섬용호망전용집성전로적부분핵심심편.심편측시결과표명,격광이겁관구동전로(LDD),전치방대기(Pre-Amp)화한폭방대기(LA)집성전로체도료세계동류집성전로적수평.
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