发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2004年
2期
151-155
,共5页
刘磁辉%林碧霞%王晓平%朱俊杰%钟声%傅竹西
劉磁輝%林碧霞%王曉平%硃俊傑%鐘聲%傅竹西
류자휘%림벽하%왕효평%주준걸%종성%부죽서
氧化锌薄膜材料%热退火%原子力显微镜%椭偏测量
氧化鋅薄膜材料%熱退火%原子力顯微鏡%橢偏測量
양화자박막재료%열퇴화%원자력현미경%타편측량
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基Zn0薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究.结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm.当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400nm,而较小的尺寸仅为50 nm.此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化.
利用原子力顯微鏡(AFM)和橢偏儀對濺射製備的硅基Zn0薄膜的熱退火錶麵形貌與橢偏特性進行瞭研究.結果髮現:未退火或低溫退火(≤850℃)薄膜的形貌呈現較弱的各嚮異性,晶粒呎吋大小較為均勻,呎吋約為50 nm.噹經高溫退火後,ZnO薄膜的晶粒呎吋明顯增大,同時伴隨晶粒呎吋分佈非均勻化,較大的呎吋可達400nm,而較小的呎吋僅為50 nm.此外,橢偏測量錶明:橢偏參數在不同的退火溫區的變化呈現明顯差彆;噹退火溫度高于850℃時,薄膜的結構有明顯的變化.
이용원자력현미경(AFM)화타편의대천사제비적규기Zn0박막적열퇴화표면형모여타편특성진행료연구.결과발현:미퇴화혹저온퇴화(≤850℃)박막적형모정현교약적각향이성,정립척촌대소교위균균,척촌약위50 nm.당경고온퇴화후,ZnO박막적정립척촌명현증대,동시반수정립척촌분포비균균화,교대적척촌가체400nm,이교소적척촌부위50 nm.차외,타편측량표명:타편삼수재불동적퇴화온구적변화정현명현차별;당퇴화온도고우850℃시,박막적결구유명현적변화.
