电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
4期
543-546
,共4页
王琪琨%朱长纯%田昌会%史永胜
王琪琨%硃長純%田昌會%史永勝
왕기곤%주장순%전창회%사영성
碳纳米管阴极%厚膜工艺%银浆%场发射
碳納米管陰極%厚膜工藝%銀漿%場髮射
탄납미관음겁%후막공예%은장%장발사
研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜.CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480 ℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化.银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2.4 V/μm,在5 V/μm的电场下,场发射电流密度为27.8 μA/cm2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善.
研究瞭製備碳納米管(CNT)場髮射陰極的厚膜工藝,通過漿料配方和燒結工藝等方麵的探索,在Si基底上製作瞭均勻、平整、場髮射特性良好的CNT厚膜.CNT厚膜工藝研究錶明,CNT漿料中銀漿的最佳比例約為4.2%,最佳燒結溫度為480 ℃(空氣中),纔能保證厚膜有較彊的附著力,CNT又不至于全部氧化.銀漿比例過大,則使高電壓時場髮射電流明顯下降,通過對CNT厚膜的場髮射特性測量得知,其開啟電壓為2.4 V/μm,在5 V/μm的電場下,場髮射電流密度為27.8 μA/cm2,但髮光顯示情況不佳,通過使用含有機粘結劑的漿料,使顯示髮光情況得到瞭很大改善.
연구료제비탄납미관(CNT)장발사음겁적후막공예,통과장료배방화소결공예등방면적탐색,재Si기저상제작료균균、평정、장발사특성량호적CNT후막.CNT후막공예연구표명,CNT장료중은장적최가비례약위4.2%,최가소결온도위480 ℃(공기중),재능보증후막유교강적부착력,CNT우불지우전부양화.은장비례과대,칙사고전압시장발사전류명현하강,통과대CNT후막적장발사특성측량득지,기개계전압위2.4 V/μm,재5 V/μm적전장하,장발사전류밀도위27.8 μA/cm2,단발광현시정황불가,통과사용함유궤점결제적장료,사현시발광정황득도료흔대개선.
