光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2005年
8期
1121-1125
,共5页
沈杰%马国宏%章壮健%华中一%唐星海
瀋傑%馬國宏%章壯健%華中一%唐星海
침걸%마국굉%장장건%화중일%당성해
光电子学%双光子吸收%抽运-探测%光子带隙%缺陷
光電子學%雙光子吸收%抽運-探測%光子帶隙%缺陷
광전자학%쌍광자흡수%추운-탐측%광자대극%결함
用真空镀膜方法制备了含有单个CdS缺陷层的具有不同周期和结构参量的TiO2/SiO2一维光子晶体.用抽运-探测技术研究了CdS缺陷层的双光子吸收(TPA)现象.实验结果表明:一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收显著增强.不同周期和结构参量的一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收系数不同.双光子吸收的增强来源于由光局域化导致的缺陷层的电场强度的增加.缺陷层电场强度与一维光子晶体的结构有关,如周期,光子带隙的位置与宽度及缺陷模式等因素都会影响缺陷层电场强度.采用四分之一波长的高低折射率介质层和与入射波长匹配的缺陷模可以得到最大的缺陷层电场强度.
用真空鍍膜方法製備瞭含有單箇CdS缺陷層的具有不同週期和結構參量的TiO2/SiO2一維光子晶體.用抽運-探測技術研究瞭CdS缺陷層的雙光子吸收(TPA)現象.實驗結果錶明:一維光子晶體中CdS缺陷層的雙光子吸收顯著增彊.不同週期和結構參量的一維光子晶體中CdS缺陷層的雙光子吸收繫數不同.雙光子吸收的增彊來源于由光跼域化導緻的缺陷層的電場彊度的增加.缺陷層電場彊度與一維光子晶體的結構有關,如週期,光子帶隙的位置與寬度及缺陷模式等因素都會影響缺陷層電場彊度.採用四分之一波長的高低摺射率介質層和與入射波長匹配的缺陷模可以得到最大的缺陷層電場彊度.
용진공도막방법제비료함유단개CdS결함층적구유불동주기화결구삼량적TiO2/SiO2일유광자정체.용추운-탐측기술연구료CdS결함층적쌍광자흡수(TPA)현상.실험결과표명:일유광자정체중CdS결함층적쌍광자흡수현저증강.불동주기화결구삼량적일유광자정체중CdS결함층적쌍광자흡수계수불동.쌍광자흡수적증강래원우유광국역화도치적결함층적전장강도적증가.결함층전장강도여일유광자정체적결구유관,여주기,광자대극적위치여관도급결함모식등인소도회영향결함층전장강도.채용사분지일파장적고저절사솔개질층화여입사파장필배적결함모가이득도최대적결함층전장강도.
