改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理
개진형Ge농축기술제비SGOI급기궤리
Mechanism in SiGe-on-Insulator Fabricated by Modified Ge-Condensation Technique
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 z1期 252-256 ,共5页

    张苗%狄增峰%刘卫丽%骆苏华%宋志棠%朱剑豪%林成鲁

    장묘%적증봉%류위려%락소화%송지당%주검호%림성로

    SiGe-on-insulator%氧化%扩散 SiGe-on-insulator%氧化%擴散
    SiGe-on-insulator%양화%확산
    对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.
    대Ge농축기술진행개진,통과대Si/SiGe/Si삼명치결구양화퇴화,성공제비료Ge함량고체18%적SGOI재료.실험결과표명:정층적Si가이유효억제SiGe층양화초기Ge원소적손실,퇴화과정유조우Ge원소재SiGe층중적균균분포,동시야감경료Ge원소재양화층하적취집.재고온조건(1150℃)하제비적SGOI재료응력완전석방,궤호몰유인입위착.
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