中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2007年
4期
565-568
,共4页
闫文盛%孙治湖%刘庆华%钟文杰%潘志云%韦世强
閆文盛%孫治湖%劉慶華%鐘文傑%潘誌雲%韋世彊
염문성%손치호%류경화%종문걸%반지운%위세강
稀磁半导体%X射线吸收近边谱%局域结构
稀磁半導體%X射線吸收近邊譜%跼域結構
희자반도체%X사선흡수근변보%국역결구
利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.
利用基于實空間多重散射的XANES研究瞭Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半導體中Mn原子的跼域結構.結果錶明在低Mn含量(摩爾濃度)的Ga0.990Mn0.010N樣品中,Mn原子替代瞭GaN中的Ga,以替位形式存在.噹Mn含量增加到0.025時,部分Mn原子處于被4箇Ga所包圍的間隙位,併與替位Mn原子形成瞭MnGa-Mn1二聚體.噹Mn含量進一步增加到0.100時,樣品中的Mn原子主要以Mn糰簇形式存在.
이용기우실공간다중산사적XANES연구료Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)희자반도체중Mn원자적국역결구.결과표명재저Mn함량(마이농도)적Ga0.990Mn0.010N양품중,Mn원자체대료GaN중적Ga,이체위형식존재.당Mn함량증가도0.025시,부분Mn원자처우피4개Ga소포위적간극위,병여체위Mn원자형성료MnGa-Mn1이취체.당Mn함량진일보증가도0.100시,양품중적Mn원자주요이Mn단족형식존재.
