微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
7期
380-382,386
,共4页
苏延芬%刘英坤%邓建国%胡顺欣%冯彬%董四华
囌延芬%劉英坤%鄧建國%鬍順訢%馮彬%董四華
소연분%류영곤%산건국%호순흔%풍빈%동사화
Trench//MOSFET%导通电阻%沟道密度%垂直沟道结构%饱和压降
Trench//MOSFET%導通電阻%溝道密度%垂直溝道結構%飽和壓降
Trench//MOSFET%도통전조%구도밀도%수직구도결구%포화압강
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件.该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0 A、跨导大于0.8 S、阈值电压2～3 V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19%～43%,在175 MHz、VDS=12 V下输出功率PO为7 w、漏极效率ηD为44%、功率增益GP为10 dB.
在國內首次研製齣瞭一種採用條狀元胞結構、特殊的柵槽刻蝕條件、特殊的柵介質生長前處理工藝及多晶硅柵的射頻功率Trench MOSFET器件.該器件漏源擊穿電壓大于62V、漏極電流大于3.0 A、跨導大于0.8 S、閾值電壓2～3 V、導通電阻比同樣條件的VDMOS降低瞭19%～43%,在175 MHz、VDS=12 V下輸齣功率PO為7 w、漏極效率ηD為44%、功率增益GP為10 dB.
재국내수차연제출료일충채용조상원포결구、특수적책조각식조건、특수적책개질생장전처리공예급다정규책적사빈공솔Trench MOSFET기건.해기건루원격천전압대우62V、루겁전류대우3.0 A、과도대우0.8 S、역치전압2～3 V、도통전조비동양조건적VDMOS강저료19%～43%,재175 MHz、VDS=12 V하수출공솔PO위7 w、루겁효솔ηD위44%、공솔증익GP위10 dB.
