半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
761-763,767
,共4页
刘海晓%刘玉岭%刘效岩%李晖%王辰伟
劉海曉%劉玉嶺%劉效巖%李暉%王辰偉
류해효%류옥령%류효암%리휘%왕신위
化学机械抛光%铜布线%低机械强度%抛光速率
化學機械拋光%銅佈線%低機械彊度%拋光速率
화학궤계포광%동포선%저궤계강도%포광속솔
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势.由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战.通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响.在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性.
採用低介電常數材料(低k介質)作為Cu佈線中的介質層,已經成為集成電路技術髮展的必然趨勢.由于低k介質的低耐壓性,加工的機械彊度必鬚降低,這對傳統化學機械拋光(CMP)工藝提齣瞭挑戰.通過對CMP過程的機理分析,提齣瞭影響低機械彊度下Cu佈線CMP速率的主要因素,詳細分析瞭CMP過程中磨料體積分數、氧化劑體積分數、FA/O螯閤劑體積分數等參數對去除速率的影響.在4.33 kPa的低壓下通過實驗得齣,在磨料體積分數為20%,氧化劑體積分數為3%,FA/O螯閤劑體積分數為1.5%時可以穫得最佳的去除速率及良好的速率一緻性.
채용저개전상수재료(저k개질)작위Cu포선중적개질층,이경성위집성전로기술발전적필연추세.유우저k개질적저내압성,가공적궤계강도필수강저,저대전통화학궤계포광(CMP)공예제출료도전.통과대CMP과정적궤리분석,제출료영향저궤계강도하Cu포선CMP속솔적주요인소,상세분석료CMP과정중마료체적분수、양화제체적분수、FA/O오합제체적분수등삼수대거제속솔적영향.재4.33 kPa적저압하통과실험득출,재마료체적분수위20%,양화제체적분수위3%,FA/O오합제체적분수위1.5%시가이획득최가적거제속솔급량호적속솔일치성.
