微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
12期
816-后插1
,共1页
邢少川%刘玉岭%刘效岩%田雨%胡轶%王辰伟
邢少川%劉玉嶺%劉效巖%田雨%鬍軼%王辰偉
형소천%류옥령%류효암%전우%호질%왕신위
低压%化学机械抛光(CMP)%碱性抛光液%抛光速率%片内非均匀性(WIWNU)
低壓%化學機械拋光(CMP)%堿性拋光液%拋光速率%片內非均勻性(WIWNU)
저압%화학궤계포광(CMP)%감성포광액%포광속솔%편내비균균성(WIWNU)
随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89 kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题.对300 mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响.通过实验可得,在低压力1 kPa,流量200 mL/min,转速30 r/min,氧化剂体积分数2％,磨料体积分数30％,螯合剂体积分数3％时,抛光速率为330 nm/min,表面非均匀性为0.049,抛光后表面粗糙度为0.772 nm,得到了较为理想的实验结果.
隨著銅互連結構中低k介質的應用,要求CMP拋光過程中必鬚將壓力減小到6.89 kPa以下,傳統的化學機械拋光已不符閤噹前的工藝要求,如何兼顧超低壓力下拋光速率和速率一緻性成為關鍵問題.對300 mm Blanket銅膜進行瞭低壓化學機械拋光實驗,分析研究瞭堿性拋光液組分及拋光工藝參數對銅膜去除速率及其一緻性的影響.通過實驗可得,在低壓力1 kPa,流量200 mL/min,轉速30 r/min,氧化劑體積分數2％,磨料體積分數30％,螯閤劑體積分數3％時,拋光速率為330 nm/min,錶麵非均勻性為0.049,拋光後錶麵粗糙度為0.772 nm,得到瞭較為理想的實驗結果.
수착동호련결구중저k개질적응용,요구CMP포광과정중필수장압력감소도6.89 kPa이하,전통적화학궤계포광이불부합당전적공예요구,여하겸고초저압력하포광속솔화속솔일치성성위관건문제.대300 mm Blanket동막진행료저압화학궤계포광실험,분석연구료감성포광액조분급포광공예삼수대동막거제속솔급기일치성적영향.통과실험가득,재저압력1 kPa,류량200 mL/min,전속30 r/min,양화제체적분수2％,마료체적분수30％,오합제체적분수3％시,포광속솔위330 nm/min,표면비균균성위0.049,포광후표면조조도위0.772 nm,득도료교위이상적실험결과.
