CAJ | 학술논문

利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
이용등리자체화학기상침적( PECVD)기술 ,채용불동적침적조건 (20～ 180℃적기판온도범 위화 10～ 30W적사빈공솔 )제비료담화규박막,연구료침적조건대담화규박막성질화방수성능적 영향.실험발현수착기판온도적증가 ,담화규박막적밀도、절사솔화 Si/N비상응증가 ,이침적속 솔화 H함량상응감소 ;수착사빈공솔적증가 ,담화규박막적침적속솔、밀도、절사솔화 Si/N비상 응증가 ,이 H함량상응감소.수기삼투실험발현즉사기판온도강저위 50℃,소침적적담화규박막 잉연구유량호적방수성능.실험결과표명저온담화규박막가이유효지응용우유궤발광기건( OLED) 적봉장.