不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
불동책결구적부분모진NMOSFET/SIMOX적총제량복조효응연구
Total-dose irradiation effect of partially-depleted NMOSFET/SIMOX with two different gate structures
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2006年 4期 308-312 ,共5页

    钱聪%张恩霞%贺威%张正选%张峰%林成鲁%王英民%王小荷%赵桂茹%恩云飞%罗宏伟%师谦

    전총%장은하%하위%장정선%장봉%림성로%왕영민%왕소하%조계여%은운비%라굉위%사겸

    绝缘体上硅(SOI)%总剂量辐照效应%环栅结构%H型栅结构 絕緣體上硅(SOI)%總劑量輻照效應%環柵結構%H型柵結構
    절연체상규(SOI)%총제량복조효응%배책결구%H형책결구
    研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
    연구료재개성주양격리(SIMOX)재료상제비적구유배책화H형책결구적부분모진NMOS정체관재삼충불동편치상태적총제량복조효응.실험표명재10keV적X-사선총제량복조하,기건적배책、정책역치전압부향표이화루전류도공제재교소적수평;재2Mrad(SiO2)적복조하잉능정상공작.연구증실료무론나충책결구,대우배책,PG균위최렬편치,기차시OFF편치,이ON편치하기건수복조적영향최소;이대우정책,ON균위최렬편치.통과의합계산출료절연매층(BOX,즉매양)중적포화정정전하밀도Not화공혈부획분수α.
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