微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
6期
346-349,357
,共5页
二氧化锡%纳米管%阵列%高频感应%场发射%开启电场
二氧化錫%納米管%陣列%高頻感應%場髮射%開啟電場
이양화석%납미관%진렬%고빈감응%장발사%개계전장
SnO2纳米材料由于其优异的性能和在纳米电子器件以及气敏传感器等方面的潜在应用受到了广泛关注,快速大量制备SnO2纳米管(线)是其规模化应用的前提.利用自制的高频感应设备在Si基底上快速生长出定向的SnO2纳米管阵列,由SEM和TEM分析可知,SnO2纳米管直径达到50～100 nm.场发射结果表面制备的SnO2纳米管阵列具有较低的开启电压,即当产生的电流密度为10 uA/cm2时所对应的电场只有1.64 V/μm,这一数值低于碳纳米管和其他一维氧化物纳米材料的开启电场,同时所制备的产物具有良好的场发射稳定性,良好的场发射性能说明SnO:纳米管在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力.
SnO2納米材料由于其優異的性能和在納米電子器件以及氣敏傳感器等方麵的潛在應用受到瞭廣汎關註,快速大量製備SnO2納米管(線)是其規模化應用的前提.利用自製的高頻感應設備在Si基底上快速生長齣定嚮的SnO2納米管陣列,由SEM和TEM分析可知,SnO2納米管直徑達到50～100 nm.場髮射結果錶麵製備的SnO2納米管陣列具有較低的開啟電壓,即噹產生的電流密度為10 uA/cm2時所對應的電場隻有1.64 V/μm,這一數值低于碳納米管和其他一維氧化物納米材料的開啟電場,同時所製備的產物具有良好的場髮射穩定性,良好的場髮射性能說明SnO:納米管在場髮射平闆顯示及真空電子器件方麵具有較好的應用潛力.
SnO2납미재료유우기우이적성능화재납미전자기건이급기민전감기등방면적잠재응용수도료엄범관주,쾌속대량제비SnO2납미관(선)시기규모화응용적전제.이용자제적고빈감응설비재Si기저상쾌속생장출정향적SnO2납미관진렬,유SEM화TEM분석가지,SnO2납미관직경체도50～100 nm.장발사결과표면제비적SnO2납미관진렬구유교저적개계전압,즉당산생적전류밀도위10 uA/cm2시소대응적전장지유1.64 V/μm,저일수치저우탄납미관화기타일유양화물납미재료적개계전장,동시소제비적산물구유량호적장발사은정성,량호적장발사성능설명SnO:납미관재장발사평판현시급진공전자기건방면구유교호적응용잠력.
