微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
85-88
,共4页
刘英斌%林琳%陈宏泰%袁凤坡%李云
劉英斌%林琳%陳宏泰%袁鳳坡%李雲
류영빈%림림%진굉태%원봉파%리운
AlGaInP%发光二极管%压应变%多量子阱%光荧光%界面粗糙度
AlGaInP%髮光二極管%壓應變%多量子阱%光熒光%界麵粗糙度
AlGaInP%발광이겁관%압응변%다양자정%광형광%계면조조도
重点介绍了670 nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670 nm多量子阱.分析比较了670 nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进.同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,P型AlInP材料获得了0.9 X 1018/cm3的空穴密度.外延材料制作成200 μm×200 μm尺寸的LED管芯,在20 mA工作电流下亮度为22～24 mcd.器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670 nm LED外延材料.
重點介紹瞭670 nm LED材料的結構與製備方法,用MOCVD方法生長瞭較高壓應變的670 nm多量子阱.分析比較瞭670 nm量子阱室溫光熒光譜線寬度的影響因素,指齣室溫光熒光主要來源于帶-帶複閤,熒光譜線寬度的減小是應變量子阱輕重空穴能級分離的結果,併不意味著量子阱界麵質量的改進.同時介紹瞭二乙基鋅(DEZn)的摻雜技術和摻雜濃度,通過優化摻雜條件和退火條件,P型AlInP材料穫得瞭0.9 X 1018/cm3的空穴密度.外延材料製作成200 μm×200 μm呎吋的LED管芯,在20 mA工作電流下亮度為22～24 mcd.器件結果錶明,用5箇壓應變量子阱的有源區併且採用DEZn摻雜可以製作齣高亮度的670 nm LED外延材料.
중점개소료670 nm LED재료적결구여제비방법,용MOCVD방법생장료교고압응변적670 nm다양자정.분석비교료670 nm양자정실온광형광보선관도적영향인소,지출실온광형광주요래원우대-대복합,형광보선관도적감소시응변양자정경중공혈능급분리적결과,병불의미착양자정계면질량적개진.동시개소료이을기자(DEZn)적참잡기술화참잡농도,통과우화참잡조건화퇴화조건,P형AlInP재료획득료0.9 X 1018/cm3적공혈밀도.외연재료제작성200 μm×200 μm척촌적LED관심,재20 mA공작전류하량도위22～24 mcd.기건결과표명,용5개압응변양자정적유원구병차채용DEZn참잡가이제작출고량도적670 nm LED외연재료.
