物理
物理
물리
2002年
4期
214-218
,共5页
谢欣云%林青%门传玲%安正华%张苗%林成鲁
謝訢雲%林青%門傳玲%安正華%張苗%林成魯
사흔운%림청%문전령%안정화%장묘%림성로
SOI新结构,SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN
SOI新結構,SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN
SOI신결구,SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用.
SOI(silicon-on-insulator:絕緣體上單晶硅薄膜)技術已取得瞭突破性的進展,但一般SOI結構是以SiO2作為絕緣埋層,以硅作為頂層的半導體材料,這樣導緻瞭一些不利的影響,限製瞭其應用範圍.為解決這些問題和滿足一些特殊器件/電路的要求,探索研究新的SOI結構成為SOI研究領域新的熱點.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章將結閤作者的部分工作,報道SOI新結構研究的新動嚮及其應用.
SOI(silicon-on-insulator:절연체상단정규박막)기술이취득료돌파성적진전,단일반SOI결구시이SiO2작위절연매층,이규작위정층적반도체재료,저양도치료일사불리적영향,한제료기응용범위.위해결저사문제화만족일사특수기건/전로적요구,탐색연구신적SOI결구성위SOI연구영역신적열점.여SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI등.문장장결합작자적부분공작,보도SOI신결구연구적신동향급기응용.
