固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
305-309
,共5页
互补金属氧化物半导体接收机%中频%调频/频移键控%灵敏度
互補金屬氧化物半導體接收機%中頻%調頻/頻移鍵控%靈敏度
호보금속양화물반도체접수궤%중빈%조빈/빈이건공%령민도
研制了一种CMOS低压低功耗中频接收机芯片,它包含混频器、限幅放大器、解调器以及场强指示、消音控制等模块,可用于短距离的FM/FSK信号的接收和解调.该接收机采用1st silicon 0.25 μm CMOS工艺,芯片的测试结果表明整机接收灵敏度为-103 dBm,最高输入射频频率可以达到100 MHz,解调器的线性解调范围为±10 kHz,典型鉴频灵敏度为40 mV/kHz,输入FM信号(调频指数3,信号频率1 kHz)时解调信号的SFDR为41.3 dB.芯片的工作电源电压范围为2～4 V,工作电流3 mA,有效面积0.25 mm2.
研製瞭一種CMOS低壓低功耗中頻接收機芯片,它包含混頻器、限幅放大器、解調器以及場彊指示、消音控製等模塊,可用于短距離的FM/FSK信號的接收和解調.該接收機採用1st silicon 0.25 μm CMOS工藝,芯片的測試結果錶明整機接收靈敏度為-103 dBm,最高輸入射頻頻率可以達到100 MHz,解調器的線性解調範圍為±10 kHz,典型鑒頻靈敏度為40 mV/kHz,輸入FM信號(調頻指數3,信號頻率1 kHz)時解調信號的SFDR為41.3 dB.芯片的工作電源電壓範圍為2～4 V,工作電流3 mA,有效麵積0.25 mm2.
연제료일충CMOS저압저공모중빈접수궤심편,타포함혼빈기、한폭방대기、해조기이급장강지시、소음공제등모괴,가용우단거리적FM/FSK신호적접수화해조.해접수궤채용1st silicon 0.25 μm CMOS공예,심편적측시결과표명정궤접수령민도위-103 dBm,최고수입사빈빈솔가이체도100 MHz,해조기적선성해조범위위±10 kHz,전형감빈령민도위40 mV/kHz,수입FM신호(조빈지수3,신호빈솔1 kHz)시해조신호적SFDR위41.3 dB.심편적공작전원전압범위위2～4 V,공작전류3 mA,유효면적0.25 mm2.
