传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2006年
5期
2103-2106
,共4页
施云波%张洪泉%胡竹平%冯桥华%项金娟%郭建英
施雲波%張洪泉%鬍竹平%馮橋華%項金娟%郭建英
시운파%장홍천%호죽평%풍교화%항금연%곽건영
激光微加工%Al2O3微结构%微壳%Cl2传感器
激光微加工%Al2O3微結構%微殼%Cl2傳感器
격광미가공%Al2O3미결구%미각%Cl2전감기
以膜厚为250 μm的Al2O3膜为微结构基板、95#Al2O3瓷板为微壳结构体,设计并采用激光微加工技术制作了具有Φ0.2 mm微孔通道的微结构传感器.阐述了CuCl杂化修饰CuPc的工艺过程,并通过真空镀膜形成气敏膜.实现了主动吸气的检测模式,提高了响应时间和气敏性.通过SEM分析得到了良好的表面形貌和膜尺寸,用做电极和加热器Pt膜厚为500nm,敏感膜厚为150 nm,微壳深度为150～200μm.测试结果表明对Cl2具有较好的敏感响应,灵敏度为0.01%浓度下0.25倍,并呈现P型半导体的变化规律.研究了通气状态和加热电压对传感器响应和气敏性的影响.
以膜厚為250 μm的Al2O3膜為微結構基闆、95#Al2O3瓷闆為微殼結構體,設計併採用激光微加工技術製作瞭具有Φ0.2 mm微孔通道的微結構傳感器.闡述瞭CuCl雜化脩飾CuPc的工藝過程,併通過真空鍍膜形成氣敏膜.實現瞭主動吸氣的檢測模式,提高瞭響應時間和氣敏性.通過SEM分析得到瞭良好的錶麵形貌和膜呎吋,用做電極和加熱器Pt膜厚為500nm,敏感膜厚為150 nm,微殼深度為150～200μm.測試結果錶明對Cl2具有較好的敏感響應,靈敏度為0.01%濃度下0.25倍,併呈現P型半導體的變化規律.研究瞭通氣狀態和加熱電壓對傳感器響應和氣敏性的影響.
이막후위250 μm적Al2O3막위미결구기판、95#Al2O3자판위미각결구체,설계병채용격광미가공기술제작료구유Φ0.2 mm미공통도적미결구전감기.천술료CuCl잡화수식CuPc적공예과정,병통과진공도막형성기민막.실현료주동흡기적검측모식,제고료향응시간화기민성.통과SEM분석득도료량호적표면형모화막척촌,용주전겁화가열기Pt막후위500nm,민감막후위150 nm,미각심도위150～200μm.측시결과표명대Cl2구유교호적민감향응,령민도위0.01%농도하0.25배,병정현P형반도체적변화규률.연구료통기상태화가열전압대전감기향응화기민성적영향.
