激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2006年
11期
1057-1059
,共3页
彭铭曾%张洁%朱学亮%郭丽伟%贾海强%陈弘%周均铭
彭銘曾%張潔%硃學亮%郭麗偉%賈海彊%陳弘%週均銘
팽명증%장길%주학량%곽려위%가해강%진홍%주균명
n型AlxGa1-xN%MOCVD%导电性%光学吸收
n型AlxGa1-xN%MOCVD%導電性%光學吸收
n형AlxGa1-xN%MOCVD%도전성%광학흡수
文章介绍了无裂纹高导电性n型AlxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质.通过AlN两步生长法,有效地解决了AlxGa1-xN外延薄膜易裂的难题.并且对其生长进行优化,减少了AlxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型AlxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533 ×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V·s,已经达到了目前国际上报道的先进水平.另外光学吸收谱说明AlxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整.
文章介紹瞭無裂紋高導電性n型AlxGa1-xN的MOCVD生長及其電學、光學和錶麵形貌性質.通過AlN兩步生長法,有效地解決瞭AlxGa1-xN外延薄膜易裂的難題.併且對其生長進行優化,減少瞭AlxGa1-xN外延薄膜中的受主補償缺陷,從而實現瞭高導電性的n型AlxGa1-xN薄膜,其載流子濃度為4.533 ×1018cm-3,併且電子遷移率高達77.5cm2/V·s,已經達到瞭目前國際上報道的先進水平.另外光學吸收譜說明AlxGa1-xN外延薄膜在302nm處具有陡峭的帶邊吸收,同時結閤原子力顯微鏡分析材料的錶麵形貌,證實瞭材料錶麵光滑且平整.
문장개소료무렬문고도전성n형AlxGa1-xN적MOCVD생장급기전학、광학화표면형모성질.통과AlN량보생장법,유효지해결료AlxGa1-xN외연박막역렬적난제.병차대기생장진행우화,감소료AlxGa1-xN외연박막중적수주보상결함,종이실현료고도전성적n형AlxGa1-xN박막,기재류자농도위4.533 ×1018cm-3,병차전자천이솔고체77.5cm2/V·s,이경체도료목전국제상보도적선진수평.령외광학흡수보설명AlxGa1-xN외연박막재302nm처구유두초적대변흡수,동시결합원자력현미경분석재료적표면형모,증실료재료표면광활차평정.
