电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
3期
748-751
,共4页
李冬梅%王志华%皇甫丽英%勾秋静%雷有华%李国林
李鼕梅%王誌華%皇甫麗英%勾鞦靜%雷有華%李國林
리동매%왕지화%황보려영%구추정%뢰유화%리국림
NMOS晶体管%辐照效应%总剂量
NMOS晶體管%輻照效應%總劑量
NMOS정체관%복조효응%총제량
采用商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.
採用商用標準0.6 μm體硅CMOS工藝設計瞭不同寬長比、不同溝道長度及不同版圖結構的非加固型NMOS晶體管作為測試樣品.經高劑量60Coγ射線的總劑量輻照實驗,討論其在不同柵源偏置電壓下的總劑量輻照特性.研究錶明NMOS總劑量效應對輻照時柵源偏置電壓敏感;輻照引起閾值電壓的漂移隨W/L的變化不明顯;溝道長度及版圖結構對NMOS管輻照後的源漏極間洩漏電流的影響顯著.
채용상용표준0.6 μm체규CMOS공예설계료불동관장비、불동구도장도급불동판도결구적비가고형NMOS정체관작위측시양품.경고제량60Coγ사선적총제량복조실험,토론기재불동책원편치전압하적총제량복조특성.연구표명NMOS총제량효응대복조시책원편치전압민감;복조인기역치전압적표이수W/L적변화불명현;구도장도급판도결구대NMOS관복조후적원루겁간설루전류적영향현저.
