微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2009年
1期
8-10
,共3页
静电放电%栅电介质%MOS器件%氧化层陷阱电荷%传输线脉冲
靜電放電%柵電介質%MOS器件%氧化層陷阱電荷%傳輸線脈遲
정전방전%책전개질%MOS기건%양화층함정전하%전수선맥충
以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性.当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot+的质心变化和临界密度是相同的.当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的.TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot-远小于直流应力产生的数量.热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿.
以傳輸線脈遲(TLP)為例,研究瞭由靜電放電脈遲應力產生的氧化層陷阱電荷Qot+的特性.噹氧化層厚度為3.2nm時,無論是直流還是TLP脈遲應力,其導緻氧化層擊穿的正氧化層陷阱電荷Qot+的質心變化和臨界密度是相同的.噹氧化層厚度為14nm時,在兩種不同的應力下,Qot和質心的特性是不同的.TLP脈遲應力產生的負氧化層陷阱電荷的數量Qot-遠小于直流應力產生的數量.熱電子產生更有效的空穴陷阱以引髮擊穿.
이전수선맥충(TLP)위례,연구료유정전방전맥충응력산생적양화층함정전하Qot+적특성.당양화층후도위3.2nm시,무론시직류환시TLP맥충응력,기도치양화층격천적정양화층함정전하Qot+적질심변화화림계밀도시상동적.당양화층후도위14nm시,재량충불동적응력하,Qot화질심적특성시불동적.TLP맥충응력산생적부양화층함정전하적수량Qot-원소우직류응력산생적수량.열전자산생경유효적공혈함정이인발격천.
