电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
3期
529-533
,共5页
游雪兰%吴郁%胡冬青%贾云鹏%张彦飞%亢宝位
遊雪蘭%吳鬱%鬍鼕青%賈雲鵬%張彥飛%亢寶位
유설란%오욱%호동청%가운붕%장언비%항보위
内透明集电极%ITC-IGBT%PT-IGBT%FS-IGBT
內透明集電極%ITC-IGBT%PT-IGBT%FS-IGBT
내투명집전겁%ITC-IGBT%PT-IGBT%FS-IGBT
首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径.
首次對600 V平麵型內透明集電極IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通態電壓與關斷能耗之間的摺中麯線進行瞭倣真分析和比較.ITC-IGBT是在PT-IGBT結構中的p+型襯底與n型緩遲層之間加入一層厚度很薄、摻雜濃度低于p+襯底的p型內透明集電區,併且在集電區之內、集電結附近設置具有很低過剩載流子壽命的載流子跼域壽命控製層,從而實現透明集電極的效果.倣真結果錶明,ITC-IGBT具有優良的綜閤性能,採用緩遲層濃度最優值的ITC-IGBT的摺中麯線明顯優于PT-IGBT與FS-IGBT.說明ITC-IGBT結構不僅能解決現有透明集電極IGBT超薄片加工工藝難度大的問題,還為進一步改善IGBT器件綜閤性能提供瞭新途徑.
수차대600 V평면형내투명집전겁IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT화FS-IGBT통태전압여관단능모지간적절중곡선진행료방진분석화비교.ITC-IGBT시재PT-IGBT결구중적p+형츤저여n형완충층지간가입일층후도흔박、참잡농도저우p+츤저적p형내투명집전구,병차재집전구지내、집전결부근설치구유흔저과잉재류자수명적재류자국역수명공제층,종이실현투명집전겁적효과.방진결과표명,ITC-IGBT구유우량적종합성능,채용완충층농도최우치적ITC-IGBT적절중곡선명현우우PT-IGBT여FS-IGBT.설명ITC-IGBT결구불부능해결현유투명집전겁IGBT초박편가공공예난도대적문제,환위진일보개선IGBT기건종합성능제공료신도경.
