应用化学
應用化學
응용화학
CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY
2003年
6期
557-561
,共5页
孙乔玉%黄吉儿%C.Henry de Villeneuve%力虎林%P.Allongue
孫喬玉%黃吉兒%C.Henry de Villeneuve%力虎林%P.Allongue
손교옥%황길인%C.Henry de Villeneuve%력호림%P.Allongue
Si(111)-H表面,单分子膜,醇类
Si(111)-H錶麵,單分子膜,醇類
Si(111)-H표면,단분자막,순류
以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111)-H表面上形成的有机单分子膜的特性. 并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用. 在所选择的反应条件下,不同链长醇分子修饰的硅表面上,嫁接分子所占体积分数约为80%,平带电位约为-1.00 V(vs.SSE). 研究表明,这类膜稳定性和对硅表面氧化的钝化作用非常有限.
以界麵電容分析法為主併結閤XPS、AFM技術研究瞭醇類分子在Si(111)-H錶麵上形成的有機單分子膜的特性. 併探討瞭嫁接反應中影響單分子膜特性的某些因素和單分子膜的穩定性及其對硅錶麵氧化的鈍化作用. 在所選擇的反應條件下,不同鏈長醇分子脩飾的硅錶麵上,嫁接分子所佔體積分數約為80%,平帶電位約為-1.00 V(vs.SSE). 研究錶明,這類膜穩定性和對硅錶麵氧化的鈍化作用非常有限.
이계면전용분석법위주병결합XPS、AFM기술연구료순류분자재Si(111)-H표면상형성적유궤단분자막적특성. 병탐토료가접반응중영향단분자막특성적모사인소화단분자막적은정성급기대규표면양화적둔화작용. 재소선택적반응조건하,불동련장순분자수식적규표면상,가접분자소점체적분수약위80%,평대전위약위-1.00 V(vs.SSE). 연구표명,저류막은정성화대규표면양화적둔화작용비상유한.
