固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
3期
321-324
,共4页
单伟国%骆苏华%杨中海%李凌云%孙晓玮
單偉國%駱囌華%楊中海%李凌雲%孫曉瑋
단위국%락소화%양중해%리릉운%손효위
共面波导%传输线%绝缘体上硅%地屏蔽
共麵波導%傳輸線%絕緣體上硅%地屏蔽
공면파도%전수선%절연체상규%지병폐
研究不同衬底材料上共面波导(CPW) 线的损耗特性.实验结果表明,采用低阻SOI(20 Ω·cm)作衬底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅(20Ω·cm)上制作的有明显减少;而采用低阻硅,并沉积1 μm SiO2作衬底的CPW线损耗大大降低.采用高阻SOI(1 000 Ω·cm)制备的CPW线在2 GHz损耗仅为0.13 dB/mm;通过在低阻硅上采用地屏蔽技术也可以有效地改善传输线的损耗特性,在整个频段内的损耗可与高阻SOI硅衬底上相比拟.
研究不同襯底材料上共麵波導(CPW) 線的損耗特性.實驗結果錶明,採用低阻SOI(20 Ω·cm)作襯底製作的共麵波導線的損耗比在低阻硅(20Ω·cm)上製作的有明顯減少;而採用低阻硅,併沉積1 μm SiO2作襯底的CPW線損耗大大降低.採用高阻SOI(1 000 Ω·cm)製備的CPW線在2 GHz損耗僅為0.13 dB/mm;通過在低阻硅上採用地屏蔽技術也可以有效地改善傳輸線的損耗特性,在整箇頻段內的損耗可與高阻SOI硅襯底上相比擬.
연구불동츤저재료상공면파도(CPW) 선적손모특성.실험결과표명,채용저조SOI(20 Ω·cm)작츤저제작적공면파도선적손모비재저조규(20Ω·cm)상제작적유명현감소;이채용저조규,병침적1 μm SiO2작츤저적CPW선손모대대강저.채용고조SOI(1 000 Ω·cm)제비적CPW선재2 GHz손모부위0.13 dB/mm;통과재저조규상채용지병폐기술야가이유효지개선전수선적손모특성,재정개빈단내적손모가여고조SOI규츤저상상비의.
