干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
간법각식영향응변양자정발광적궤리연구
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 2期 1027-1031 ,共5页

    曹萌%吴惠桢%刘成%劳燕锋%黄占超%谢正生%张军%江山

    조맹%오혜정%류성%로연봉%황점초%사정생%장군%강산

    干法刻蚀%应变多量子阱%光致发光谱%损伤 榦法刻蝕%應變多量子阱%光緻髮光譜%損傷
    간법각식%응변다양자정%광치발광보%손상
    采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20 nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.
    채용감응우합등리자체각식기술대InAsP/InP응변다양자정화InAsP/InGaAsP응변단양자정재료적복개층진행료불동후도적간법각식.실험결과표명,간법각식후양자정광치형광강도득도료불동정도적증강.간법각식과정불부증가료재료표면조조도,동시사기내부미결구발생변화.채용습법부식방법거제표면변조조대양자정발광특성적영향,득도간법각식복개층20 nm후응변단양자정미결구변화화기표면조조도변화량개인소분별사형광강도제고1.8배화1.2배적결과.
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