背入射Al0.42 Ga0.58 N/Al0.40 Ga0.60 N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器
배입사Al0.42 Ga0.58 N/Al0.40 Ga0.60 N이질결p-i-n태양광맹자외탐측기
A Back-Illuminated Al0.42 Ga0.58 N/Al0.40 Ga0.60 N Heterojunction p-I-n Solar-Blind UV Photodetector
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 3期 566-569 ,共4页

    成彩晶%丁嘉欣%张向锋%赵鸿燕%鲁正雄%司俊杰%孙维国%桑立雯%张国义

    성채정%정가흔%장향봉%조홍연%로정웅%사준걸%손유국%상립문%장국의

    太阳光盲紫外探测器理想因子%串联电阻%外量子效率%探测率 太暘光盲紫外探測器理想因子%串聯電阻%外量子效率%探測率
    태양광맹자외탐측기이상인자%천련전조%외양자효솔%탐측솔
    在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
    재람보석상용MOCVD생장적재료제비료배입사Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N이질결p-I-n태양광맹자외탐측기.종기건적정향Ⅰ-Ⅴ특성곡선계산료이상인자n여천련전조Rs분별위3화93?기건재령편압하275nm봉치파장처적외양자효솔여탐측솔분별위9%화4.98×1011cm·Hz1/2/W,분석표명Al0.42Ga0.58N창구층재275nm파장처적투과솔부위15.7%,시기건외양자효솔화탐측솔편저적원인지일.
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