传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2008年
4期
688-691
,共4页
郁元卫%贾世星%朱健%陈辰
鬱元衛%賈世星%硃健%陳辰
욱원위%가세성%주건%진신
射频微机电开关%直接接触式%宽带%宽驱动电压
射頻微機電開關%直接接觸式%寬帶%寬驅動電壓
사빈미궤전개관%직접접촉식%관대%관구동전압
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素.本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400 μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8 mm×0.9 mm.样品在片测试结果表明,在6 GHz频点,开关本征损耗0.1 dB,隔离度24.8 dB,等效开关接触电阻0.6 Ω,关态电容6.4 fF,开关时间47 μs,开关驱动电压为20-60 V.
本文提齣一種靜電驅動直接接觸式寬帶MEMS開關,包含CPW傳輸線、雙U型金屬懸臂樑、觸點和錨區,兼顧瞭開關接觸可靠、剋服微結構粘連和低驅動電壓三大結構可靠性設計因素.本開關為三耑口開關,使用低溫錶麵微機械工藝,製作在400 μm厚的高阻硅襯底上,芯片呎吋0.8 mm×0.9 mm.樣品在片測試結果錶明,在6 GHz頻點,開關本徵損耗0.1 dB,隔離度24.8 dB,等效開關接觸電阻0.6 Ω,關態電容6.4 fF,開關時間47 μs,開關驅動電壓為20-60 V.
본문제출일충정전구동직접접촉식관대MEMS개관,포함CPW전수선、쌍U형금속현비량、촉점화묘구,겸고료개관접촉가고、극복미결구점련화저구동전압삼대결구가고성설계인소.본개관위삼단구개관,사용저온표면미궤계공예,제작재400 μm후적고조규츤저상,심편척촌0.8 mm×0.9 mm.양품재편측시결과표명,재6 GHz빈점,개관본정손모0.1 dB,격리도24.8 dB,등효개관접촉전조0.6 Ω,관태전용6.4 fF,개관시간47 μs,개관구동전압위20-60 V.