光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2008年
6期
23-27,53
,共6页
徐均琪%弥谦%杭凌侠%严一心%董网妮
徐均琪%瀰謙%杭凌俠%嚴一心%董網妮
서균기%미겸%항릉협%엄일심%동망니
离子能量%能量分布%离子源%离子束辅助沉积(IBAD)%薄膜
離子能量%能量分佈%離子源%離子束輔助沉積(IBAD)%薄膜
리자능량%능량분포%리자원%리자속보조침적(IBAD)%박막
介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的结构和工作过程.采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布.结果表明,探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高.离子能量分布概率密度函数为单峰函数,其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动,随着引出电压的升高向高能量方向移动.当引出电压为200～1200V时,离子平均能量为600～1600eV,呈线性规律变化.这种离子源的离子平均初始动能约为430～480eV.了解和掌握离子源的这些特性和参数,可以有效的对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制,促进薄膜制备工艺更好地进行.
介紹瞭一種用于離子束輔助沉積光學薄膜的新型寬束冷陰極離子源,詳細敘述瞭該源的結構和工作過程.採用五柵網離子能量測試裝置研究瞭離子源的離子能量及能量分佈.結果錶明,探針接收的離子最低能量隨著引齣電壓和真空度的升高而升高.離子能量分佈概率密度函數為單峰函數,其峰值位置隨著真空度的降低嚮低能量方嚮移動,隨著引齣電壓的升高嚮高能量方嚮移動.噹引齣電壓為200～1200V時,離子平均能量為600～1600eV,呈線性規律變化.這種離子源的離子平均初始動能約為430～480eV.瞭解和掌握離子源的這些特性和參數,可以有效的對鍍膜過程的微觀環境(離子密度、離子能量等)進行控製,促進薄膜製備工藝更好地進行.
개소료일충용우리자속보조침적광학박막적신형관속랭음겁리자원,상세서술료해원적결구화공작과정.채용오책망리자능량측시장치연구료리자원적리자능량급능량분포.결과표명,탐침접수적리자최저능량수착인출전압화진공도적승고이승고.리자능량분포개솔밀도함수위단봉함수,기봉치위치수착진공도적강저향저능량방향이동,수착인출전압적승고향고능량방향이동.당인출전압위200～1200V시,리자평균능량위600～1600eV,정선성규률변화.저충리자원적리자평균초시동능약위430～480eV.료해화장악리자원적저사특성화삼수,가이유효적대도막과정적미관배경(리자밀도、리자능량등)진행공제,촉진박막제비공예경호지진행.
