真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2009年
6期
48-50,59
,共4页
陈刚%张兵临%姚宁%张兰%马会中%高知丰
陳剛%張兵臨%姚寧%張蘭%馬會中%高知豐
진강%장병림%요저%장란%마회중%고지봉
电泳沉积%碳纳米管%场致电子发射
電泳沉積%碳納米管%場緻電子髮射
전영침적%탄납미관%장치전자발사
利用电泳沉积法在铝片上制备了碳纳米管薄膜冷阴极.通过扫描电镜、Raman光谱观察分析了表面形貌和结构,并对场发射性能进行了测试.经过研磨处理的碳纳米管薄膜样品,开启电场为2 V/μm,当电场强度为4 V/μm时电流密度达到2600 μA/cm2,发光点密度大于10h4/cm2.
利用電泳沉積法在鋁片上製備瞭碳納米管薄膜冷陰極.通過掃描電鏡、Raman光譜觀察分析瞭錶麵形貌和結構,併對場髮射性能進行瞭測試.經過研磨處理的碳納米管薄膜樣品,開啟電場為2 V/μm,噹電場彊度為4 V/μm時電流密度達到2600 μA/cm2,髮光點密度大于10h4/cm2.
이용전영침적법재려편상제비료탄납미관박막랭음겁.통과소묘전경、Raman광보관찰분석료표면형모화결구,병대장발사성능진행료측시.경과연마처리적탄납미관박막양품,개계전장위2 V/μm,당전장강도위4 V/μm시전류밀도체도2600 μA/cm2,발광점밀도대우10h4/cm2.
