半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1102-1105
,共4页
佟丽英%王俭峰%史继祥%张继荣%邢友翠%戚红英%李亚帅
佟麗英%王儉峰%史繼祥%張繼榮%邢友翠%慼紅英%李亞帥
동려영%왕검봉%사계상%장계영%형우취%척홍영%리아수
高频光电导%锗单晶%禁带宽度%光注入%少子寿命
高頻光電導%鍺單晶%禁帶寬度%光註入%少子壽命
고빈광전도%타단정%금대관도%광주입%소자수명
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小.电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试.介绍了电阻率为0.03～0.04 Ω·cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法.通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平.通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命.
高頻光電導衰減法是測量Ge單晶少數載流子壽命常用的方法,高頻脈遲信號照射到單晶錶麵時,產生非平衡載流子,非平衡載流子的複閤時間長短反映瞭少數載流子壽命的大小.電阻率越低,少數載流子壽命越小,儀器就難以測試.介紹瞭電阻率為0.03～0.04 Ω·cm Ge單晶少數載流子壽命的測試方法.通過理論分析及實際測試,髮現影響Ge單晶測試的主要因素有3箇,即樣品的錶麵狀態、厚度及測試儀器的小註入水平.通過規範這些測試條件,能夠測試低阻Ge單晶的少數載流子壽命.
고빈광전도쇠감법시측량Ge단정소수재류자수명상용적방법,고빈맥충신호조사도단정표면시,산생비평형재류자,비평형재류자적복합시간장단반영료소수재류자수명적대소.전조솔월저,소수재류자수명월소,의기취난이측시.개소료전조솔위0.03～0.04 Ω·cm Ge단정소수재류자수명적측시방법.통과이론분석급실제측시,발현영향Ge단정측시적주요인소유3개,즉양품적표면상태、후도급측시의기적소주입수평.통과규범저사측시조건,능구측시저조Ge단정적소수재류자수명.
