上海航天
上海航天
상해항천
AEROSPACE SHANGHAI
2011年
1期
65-68
,共4页
徐导进%刘伟鑫%王晨%蔡楠%吾勤之
徐導進%劉偉鑫%王晨%蔡楠%吾勤之
서도진%류위흠%왕신%채남%오근지
电离辐照效应%辐照偏置%退火效应
電離輻照效應%輻照偏置%退火效應
전리복조효응%복조편치%퇴화효응
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究.分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系.结果发现:不加电(冷备份)状态的60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个童级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转.
對電離輻照環境中典型CMOS存儲器的輻照效應進行瞭研究.分析瞭SRAM,EEPROM,FLASH ROM存儲器在60Coγ射線輻照及輻照後不同退火過程中,CMOS存儲器的集成度、輻照偏置、退火時間和溫度與電離輻照效應的關繫.結果髮現:不加電(冷備份)狀態的60Coγ射線輻照過程中,存儲器的邏輯狀態翻轉齣現較正常工作狀態推遲1箇童級以上;隨著集成度的提高,SRAM,EEPROM存儲器的輻照敏感度降低;試驗器件經不同劑量的60Coγ射線輻照後在不同溫度下退火,所有試驗器件均齣現瞭邏輯狀態翻轉.
대전리복조배경중전형CMOS존저기적복조효응진행료연구.분석료SRAM,EEPROM,FLASH ROM존저기재60Coγ사선복조급복조후불동퇴화과정중,CMOS존저기적집성도、복조편치、퇴화시간화온도여전리복조효응적관계.결과발현:불가전(랭비빈)상태적60Coγ사선복조과정중,존저기적라집상태번전출현교정상공작상태추지1개동급이상;수착집성도적제고,SRAM,EEPROM존저기적복조민감도강저;시험기건경불동제량적60Coγ사선복조후재불동온도하퇴화,소유시험기건균출현료라집상태번전.
