利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
이용Ni납미도모판제비반겁성정면GaN납미주
Fabrication of GaN Nanocolumns with Semipolar Plane Using Ni Nano-Island Masks
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2011年 6期 417-420,442 ,共5页

    杨国锋%陈鹏%于治国%刘斌%谢自力%修向前%韩平%赵红%华雪梅%张荣%郑有炓

    양국봉%진붕%우치국%류빈%사자력%수향전%한평%조홍%화설매%장영%정유료

    氮化镓%镍纳米岛模板%电感耦合等离子刻蚀%半极性面%氮化镓纳米柱 氮化鎵%鎳納米島模闆%電感耦閤等離子刻蝕%半極性麵%氮化鎵納米柱
    담화가%얼납미도모판%전감우합등리자각식%반겁성면%담화가납미주
    报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构.通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列.这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能.
    보도료재GaN표면이Ni납미도결구작위모판,이용전감우합등리자(ICP)각식제비GaN납미주적연구결과.원자력현미경(AFM)측시결과표명,금속Ni박막재쾌속열퇴화(RTA)작용하형성료평균직경화고도대약분별위325 nm화70 nm적납미도상결구.통과전자소묘현미경(SEM)조편간출,이GaN표면소형성적Ni납미도작위모판도형,통과공제ICP각식시간,재일정적각식시간내(2 min)획득유서적병옹유반겁성정면적GaN납미주진렬.저충신영적반겁성GaN납미주작위담화물양자정혹자초정격결구적생장모판,가이유효감소심지소제겁화효응,제고광전자기건적효솔화성능.
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