半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
29-32
,共4页
王立冉%邢哲%刘玉岭%胡轶%刘效岩
王立冉%邢哲%劉玉嶺%鬍軼%劉效巖
왕립염%형철%류옥령%호질%류효암
低k材料%化学机械抛光%抛光液%介质电特性%聚酰亚胺
低k材料%化學機械拋光%拋光液%介質電特性%聚酰亞胺
저k재료%화학궤계포광%포광액%개질전특성%취선아알
以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺.经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化.实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材料进行电性能测试.结果显示,低k材料介电常数经pH值为7.09新型抛光液抛光后,k值由2.8变为2.895,漏电流在3.35 pA以下,去除速率为59 nm/min.经新型抛光液抛光后的低k材料,在电学性能等方面均优于阻挡层抛光液和Cu抛光液,抛光后的低k材料的性能能够满足应用要求.
以p型<111>硅片為襯底,經過鏇塗固化製備低介電常數(低k)材料聚酰亞胺.經過化學機械拋光(CMP)過程,攷察實驗前後低k材料介電性能的變化.實驗中分彆使用阻擋層拋光液、Cu拋光液以及新型拋光液對低k材料進行拋光後,利用電參數儀對低k材料進行電性能測試.結果顯示,低k材料介電常數經pH值為7.09新型拋光液拋光後,k值由2.8變為2.895,漏電流在3.35 pA以下,去除速率為59 nm/min.經新型拋光液拋光後的低k材料,在電學性能等方麵均優于阻擋層拋光液和Cu拋光液,拋光後的低k材料的性能能夠滿足應用要求.
이p형<111>규편위츤저,경과선도고화제비저개전상수(저k)재료취선아알.경과화학궤계포광(CMP)과정,고찰실험전후저k재료개전성능적변화.실험중분별사용조당층포광액、Cu포광액이급신형포광액대저k재료진행포광후,이용전삼수의대저k재료진행전성능측시.결과현시,저k재료개전상수경pH치위7.09신형포광액포광후,k치유2.8변위2.895,루전류재3.35 pA이하,거제속솔위59 nm/min.경신형포광액포광후적저k재료,재전학성능등방면균우우조당층포광액화Cu포광액,포광후적저k재료적성능능구만족응용요구.
