半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
74-77
,共4页
半绝缘砷化镓%重复频率%损伤阈值%电阻率%微损伤累积
半絕緣砷化鎵%重複頻率%損傷閾值%電阻率%微損傷纍積
반절연신화가%중복빈솔%손상역치%전조솔%미손상루적
通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(＜1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光导开关芯片材料光损伤的主要原因,并探讨了损伤机理.研究表明,在重复频率激光作用下GaAs光导开关芯片材料的破坏阈值比在单脉冲作用下低,且不同重复频率的激光辐照下材料表面的温升速率不同.当激励光脉冲重复频率较低(＜1 kHz)时,芯片内的温升效应不显著,此时光损伤与重复频率无明显依赖关系,主要损伤机制为微损伤累积；而当重复频率较高时,开关材料内热积累引起的损伤占主要地位.
通過波長為1064 nm的重頻激光光脈遲觸髮半絕緣GaAs光導開關損傷測試實驗,觀察脈遲激光觸髮過程中光電導開關電阻率的變化,對比低重頻(＜1 kHz)和高重頻的激光脈遲對GaAs光電導開關芯片的損傷閾值,分析瞭不同重複頻率的激光脈遲引起光導開關芯片材料光損傷的主要原因,併探討瞭損傷機理.研究錶明,在重複頻率激光作用下GaAs光導開關芯片材料的破壞閾值比在單脈遲作用下低,且不同重複頻率的激光輻照下材料錶麵的溫升速率不同.噹激勵光脈遲重複頻率較低(＜1 kHz)時,芯片內的溫升效應不顯著,此時光損傷與重複頻率無明顯依賴關繫,主要損傷機製為微損傷纍積；而噹重複頻率較高時,開關材料內熱積纍引起的損傷佔主要地位.
통과파장위1064 nm적중빈격광광맥충촉발반절연GaAs광도개관손상측시실험,관찰맥충격광촉발과정중광전도개관전조솔적변화,대비저중빈(＜1 kHz)화고중빈적격광맥충대GaAs광전도개관심편적손상역치,분석료불동중복빈솔적격광맥충인기광도개관심편재료광손상적주요원인,병탐토료손상궤리.연구표명,재중복빈솔격광작용하GaAs광도개관심편재료적파배역치비재단맥충작용하저,차불동중복빈솔적격광복조하재료표면적온승속솔불동.당격려광맥충중복빈솔교저(＜1 kHz)시,심편내적온승효응불현저,차시광손상여중복빈솔무명현의뢰관계,주요손상궤제위미손상루적；이당중복빈솔교고시,개관재료내열적루인기적손상점주요지위.
